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RM30N250DF

RM30N250DF

RM30N250DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 250V 29A 8DFN

RM30N250DF Technisches Datenblatt

compliant

RM30N250DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.21000 $1.21
500 $1.1979 $598.95
1000 $1.1858 $1185.8
1500 $1.1737 $1760.55
2000 $1.1616 $2323.2
2500 $1.1495 $2873.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 64mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1584 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF6727MTRPBF
STP20NM50FD
DMN3028L-7
UJ4C075044B7S
UJ4C075044B7S
$0 $/Stück
ZXMP7A17GQTA
SI4413DDY-T1-GE3
BSP135L6433
IXFQ120N25X3
IXFQ120N25X3
$0 $/Stück

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