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RM4N650IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251

RM4N650IP Technisches Datenblatt

nicht konform

RM4N650IP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.33000 $0.33
500 $0.3267 $163.35
1000 $0.3234 $323.4
1500 $0.3201 $480.15
2000 $0.3168 $633.6
2500 $0.3135 $783.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

STFW8N120K5
MTAJ30N06ELFK
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$0 $/Stück
SI3437DV-T1-E3
STF17N80K5
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$0 $/Stück
2SK2731T146
RM40P40LD
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$0 $/Stück
FQP12P10
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$0 $/Stück
STB7NK80Z-1

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