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RM4N650T2

RM4N650T2

RM4N650T2

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220-3

RM4N650T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM4N650T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

DMP4025LSSQ-13
STP20N90K5
STP20N90K5
$0 $/Stück
BTS130-E3045A
FCPF190N60-F154
FCPF190N60-F154
$0 $/Stück
APT13F120S
BUK9Y38-100E,115
RQ1A070APTR
SI7308DN-T1-GE3
SI7322DN-T1-GE3

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