Welcome to ichome.com!

logo
Heim

RM4P20ES6

RM4P20ES6

RM4P20ES6

Rectron USA

MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6

RM4P20ES6 Technisches Datenblatt

compliant

RM4P20ES6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06900 $0.069
500 $0.06831 $34.155
1000 $0.06762 $67.62
1500 $0.06693 $100.395
2000 $0.06624 $132.48
2500 $0.06555 $163.875
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.