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RM4P20ES6

RM4P20ES6

RM4P20ES6

Rectron USA

MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6

RM4P20ES6 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM4P20ES6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06900 $0.069
500 $0.06831 $34.155
1000 $0.06762 $67.62
1500 $0.06693 $100.395
2000 $0.06624 $132.48
2500 $0.06555 $163.875
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 52mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 740 pF @ 4 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
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