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RM4P30S6

RM4P30S6

RM4P30S6

Rectron USA

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23-6

RM4P30S6 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM4P30S6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05200 $0.052
500 $0.05148 $25.74
1000 $0.05096 $50.96
1500 $0.05044 $75.66
2000 $0.04992 $99.84
2500 $0.0494 $123.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 55mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 880 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C645NLWFAFT3G
NVMFS5C645NLWFAFT3G
$0 $/Stück
BS170-D27Z
BS170-D27Z
$0 $/Stück
STD45P4LLF6AG
SI4090BDY-T1-GE3
STP15N65M5
STP15N65M5
$0 $/Stück
DMP56D0UFB-7
NTMFS4C029NT3G
NTMFS4C029NT3G
$0 $/Stück
NVTFS5C658NLTAG
NVTFS5C658NLTAG
$0 $/Stück

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