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RM50N30DN

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RM50N30DN

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN

RM50N30DN Technisches Datenblatt

nicht konform

RM50N30DN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1840 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.57W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIJ188DP-T1-GE3
IRFP31N50LPBF
STD6NF10T4
STD6NF10T4
$0 $/Stück
CSD19534KCS
CSD19534KCS
$0 $/Stück
IRF100B202
STWA40N95DK5
SI7454DDP-T1-GE3
RV8L002SNHZGG2CR
STD11N50M2
STD11N50M2
$0 $/Stück

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