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RM50N60IP

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RM50N60IP

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO251

RM50N60IP Technisches Datenblatt

compliant

RM50N60IP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

DMN53D0LW-13
NTP27N06L
NTP27N06L
$0 $/Stück
RM130N200T7
RM130N200T7
$0 $/Stück
IRF530STRLPBF
SQP50N06-09L_GE3
RQ1C075UNTR

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