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RM50N60T2

RM50N60T2

RM50N60T2

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 50A TO220-3

RM50N60T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM50N60T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2050 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

G3R160MT17D
BUK768R1-100E,118
PSMN1R5-30YLC,115
SQ4153EY-T1_BE3
CPH3314-TL-H
CPH3314-TL-H
$0 $/Stück
IXFH15N100Q3
IXFH15N100Q3
$0 $/Stück

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