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RM5N650IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO251

RM5N650IP Technisches Datenblatt

nicht konform

RM5N650IP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 460 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 49W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

TPIC5421LNE
TPIC5421LNE
$0 $/Stück
ZVP0545GTA
SUP60030E-GE3
FKP300A
FKP300A
$0 $/Stück
STP3NK90ZFP
IXTF1N450
IXTF1N450
$0 $/Stück
DMP2123LQ-7

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