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RM60N30DF

RM60N30DF

RM60N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 58A 8DFN

RM60N30DF Technisches Datenblatt

compliant

RM60N30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1844 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFN7107TR
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
$0 $/Stück
FQI4P40TU
JDX5005
JDX5005
$0 $/Stück
STF40N65M2
STF40N65M2
$0 $/Stück

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