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RM6A5N30S6

RM6A5N30S6

RM6A5N30S6

Rectron USA

MOSFET N-CH 32V 6.5A SOT23-6

RM6A5N30S6 Technisches Datenblatt

compliant

RM6A5N30S6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05200 $0.052
500 $0.05148 $25.74
1000 $0.05096 $50.96
1500 $0.05044 $75.66
2000 $0.04992 $99.84
2500 $0.0494 $123.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 32 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 325 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
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