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RM70P30DF

RM70P30DF

RM70P30DF

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 70A 8DFN

RM70P30DF Technisches Datenblatt

nicht konform

RM70P30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.29000 $0.29
500 $0.2871 $143.55
1000 $0.2842 $284.2
1500 $0.2813 $421.95
2000 $0.2784 $556.8
2500 $0.2755 $688.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHB30N60ET1-GE3
STP20NK50Z
STP20NK50Z
$0 $/Stück
2SJ652-RA11
2SJ652-RA11
$0 $/Stück
IXFH88N30P
IXFH88N30P
$0 $/Stück
PSMN1R6-30MLHX
SUD25N15-52-BE3
STP35N60M2-EP
MCQ15N10YA-TP

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