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RM80N20DN

RM80N20DN

RM80N20DN

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 20V 80A 8PPAK

RM80N20DN Technisches Datenblatt

compliant

RM80N20DN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.26000 $0.26
500 $0.2574 $128.7
1000 $0.2548 $254.8
1500 $0.2522 $378.3
2000 $0.2496 $499.2
2500 $0.247 $617.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 66W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PPAK (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerWDFN
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Zugehörige Teilenummer

NTP85N03G
NTP85N03G
$0 $/Stück
FDB12N50FTM-WS
FDB12N50FTM-WS
$0 $/Stück
PMG45UN,115
PMG45UN,115
$0 $/Stück
SI4896DY-T1-GE3
IRFR214PBF
IRFR214PBF
$0 $/Stück

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