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RM80N30DF

RM80N30DF

RM80N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 81A 8DFN

RM80N30DF Technisches Datenblatt

compliant

RM80N30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.16000 $0.16
500 $0.1584 $79.2
1000 $0.1568 $156.8
1500 $0.1552 $232.8
2000 $0.1536 $307.2
2500 $0.152 $380
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 81A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2295 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 59W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

APT43M60L
STD1057T4
STD1057T4
$0 $/Stück
NVTYS005N04CTWG
NVTYS005N04CTWG
$0 $/Stück
APT10078BFLLG
SQS840CENW-T1_GE3
IXTA36N30P-TRL
IXTA36N30P-TRL
$0 $/Stück
RQ5E025TNTL

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