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RM8N650TI

RM8N650TI

RM8N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO220F

RM8N650TI Technisches Datenblatt

compliant

RM8N650TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 31.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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