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RMD0A8P20ES9

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RMD0A8P20ES9

Rectron USA

MOSFET 2 P-CH 20V 800MA SOT363

nicht konform

RMD0A8P20ES9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 800mA (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.8pC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 87pF @ 10V
Leistung - max. 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

DMC2038LVTQ-7
DMG6301UDW-13
DMN66D0LDW-7
FDMC8200
FDMC8200
$0 $/Stück
APTM100A18FTG
DMT3020LSD-13
FDM2509NZ
SI4204DY-T1-GE3

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