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RMD1N25ES9

RMD1N25ES9

RMD1N25ES9

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363

RMD1N25ES9 Technisches Datenblatt

compliant

RMD1N25ES9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 30 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-363
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

RF4E075ATTCR
FDBL9403-F085
FDBL9403-F085
$0 $/Stück
DMP31D7LT-7
IRFR9220TRPBF-BE3
SI2305CDS-T1-BE3
RM140N82T2
RM140N82T2
$0 $/Stück
SQJQ184ER-T1_GE3
NTD4806NA-1G
NTD4806NA-1G
$0 $/Stück

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