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2SJ555-90-E

2SJ555-90-E

2SJ555-90-E

P-CHANNEL POWER MOSFET

2SJ555-90-E Technisches Datenblatt

compliant

2SJ555-90-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.76000 $4.76
500 $4.7124 $2356.2
1000 $4.6648 $4664.8
1500 $4.6172 $6925.8
2000 $4.5696 $9139.2
2500 $4.522 $11305
497 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

SI1330EDL-T1-E3
IXFN80N50P
IXFN80N50P
$0 $/Stück
NTHL082N65S3F
NTHL082N65S3F
$0 $/Stück
STP13NK60ZFP
SI4896DY-T1-E3
IRFPG30PBF
IRFPG30PBF
$0 $/Stück
RM140N150T2
RM140N150T2
$0 $/Stück
FDPF5N50NZF

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