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2SK1317-E

2SK1317-E

2SK1317-E

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

2SK1317-E Technisches Datenblatt

compliant

2SK1317-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
540 $3.23700 $1747.98
1,020 $2.73000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 12Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 990 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFP22N60KPBF
FQI5N80TU
APT80F60J
EMH2801-TL-H
EMH2801-TL-H
$0 $/Stück
STD12NF06T4
R6070JNZ4C13
IXFA180N10T2-TRL
IXFA180N10T2-TRL
$0 $/Stück
STI260N6F6
STI260N6F6
$0 $/Stück

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