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2SK1835-E

2SK1835-E

2SK1835-E

MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P

2SK1835-E Technisches Datenblatt

nicht konform

2SK1835-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.50000 $7.5
30 $6.15000 $184.5
120 $5.55000 $666
510 $4.65000 $2371.5
1,020 $4.20000 -
2953 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 7Ohm @ 2A, 15V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1700 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

BUK7E4R0-80E,127
BUK7E4R0-80E,127
$0 $/Stück
STH240N10F7-6
STB14NK50ZT4
DMN2028UFDF-7
STF33N60M6
STF33N60M6
$0 $/Stück
IXFP90N20X3
IXFP90N20X3
$0 $/Stück
MCH6331-TL-H
MCH6331-TL-H
$0 $/Stück
SIJA22DP-T1-GE3
HUF75344A3

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