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2SK1859-E

2SK1859-E

2SK1859-E

MOSFET N-CH 900V 6A TO3P

2SK1859-E Technisches Datenblatt

compliant

2SK1859-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 980 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STP60NE06L-16
PMR400UN,115
PMR400UN,115
$0 $/Stück
MTP10N10ELG
MTP10N10ELG
$0 $/Stück
SUP90N08-6M8P-E3
STF13NM50N
STF13NM50N
$0 $/Stück
NTD32N06T4G
NTD32N06T4G
$0 $/Stück
IXTV36N50P
IXTV36N50P
$0 $/Stück

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