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H5N2901FN-E

H5N2901FN-E

H5N2901FN-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

H5N2901FN-E Technisches Datenblatt

nicht konform

H5N2901FN-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.44000 $2.44
500 $2.4156 $1207.8
1000 $2.3912 $2391.2
1500 $2.3668 $3550.2
2000 $2.3424 $4684.8
2500 $2.318 $5795
3157 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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