Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Obsolete |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 12 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 1.8V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 54mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.2V @ 1mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±8V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 940 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-CMFPAK |
| Paket / Koffer | 6-SMD, Flat Leads |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.