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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
Transistortyp | 5 NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
gewinnen | - |
Leistung - max. | 150mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 40 @ 10mA, 2V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 65mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | 16-VFQFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | 16-QFN (3x3) |
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