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NE55410GR-T3-AZ

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NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

Renesas Electronics America Inc

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

NE55410GR-T3-AZ Technisches Datenblatt

nicht konform

NE55410GR-T3-AZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.82000 $4.82
500 $4.7718 $2385.9
1000 $4.7236 $4723.6
1500 $4.6754 $7013.1
2000 $4.6272 $9254.4
2500 $4.579 $11447.5
31351 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 2.14GHz
gewinnen 13.5dB
Spannungsprüfung 28 V
Nennstrom (Ampere) 250mA, 1A
Rauschzahl -
aktuell - test 20 mA
Leistung - Leistung 35.4dBm
Spannung - Nenn 65 V
Paket / Koffer 16-DFF, Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 16-HTSSOP
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Zugehörige Teilenummer

A3G26D055N-2110
NXP USA Inc.
A3G26D055N-2110
$0 $/Stück
STAC4933
STMicroelectronics
STAC4933
$0 $/Stück
MMRF5017HSR5
NXP USA Inc.
MMRF5017HSR5
$0 $/Stück
BLM8G0710S-60PBGY
Ampleon USA Inc.
BLM8G0710S-60PBGY
$0 $/Stück
PTFA180701E-V4-R250
Wolfspeed, Inc.
PTFA180701E-V4-R250
$0 $/Stück
PD55008S-E
STMicroelectronics
PD55008S-E
$0 $/Stück
CLF1G0035-100P
NXP USA Inc.
CLF1G0035-100P
$0 $/Stück
BLS9G2934L-400U
Ampleon USA Inc.
BLS9G2934L-400U
$0 $/Stück
BLF183XRSU
Ampleon USA Inc.
BLF183XRSU
$0 $/Stück
BLF7G10L-250,112
NXP USA Inc.
BLF7G10L-250,112
$0 $/Stück
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