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NE5550779A-T1-A

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NE5550779A-T1-A

NE5550779A-T1-A

Renesas Electronics America Inc

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

NE5550779A-T1-A Technisches Datenblatt

compliant

NE5550779A-T1-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 900MHz
gewinnen 22dB
Spannungsprüfung 7.5 V
Nennstrom (Ampere) 2.1A
Rauschzahl -
aktuell - test 140 mA
Leistung - Leistung 38.5dBm
Spannung - Nenn 30 V
Paket / Koffer 4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket 79A
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Zugehörige Teilenummer

BF1205C,115
NXP USA Inc.
BF1205C,115
$0 $/Stück
MRF8S21100HR5
Freescale Semiconductor
MRF8S21100HR5
$0 $/Stück
PD85025STR-E
STMicroelectronics
PD85025STR-E
$0 $/Stück
MRF24300NR3
Freescale Semiconductor
MRF24300NR3
$0 $/Stück
MRF6V14300HSR3
NXP USA Inc.
MRF6V14300HSR3
$0 $/Stück
ATF-511P8-BLK
Broadcom Limited
ATF-511P8-BLK
$0 $/Stück
BLF7G20L-200,112
Ampleon USA Inc.
BLF7G20L-200,112
$0 $/Stück
J212
onsemi
J212
$0 $/Stück
BF1105WR,135
NXP USA Inc.
BF1105WR,135
$0 $/Stück
J310_D74Z
onsemi
J310_D74Z
$0 $/Stück
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