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NE5550979A-T1-A

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NE5550979A-T1-A

NE5550979A-T1-A

Renesas Electronics America Inc

RF N-CHANNEL POWER MOSFET

NE5550979A-T1-A Technisches Datenblatt

compliant

NE5550979A-T1-A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp LDMOS
Frequenz 900MHz
gewinnen 22dB
Spannungsprüfung 7.5 V
Nennstrom (Ampere) 3A
Rauschzahl -
aktuell - test 200 mA
Leistung - Leistung 38.6dBm
Spannung - Nenn 30 V
Paket / Koffer 79A
Lieferantengerätepaket 79A
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Zugehörige Teilenummer

MCH3321-TL-E
onsemi
MCH3321-TL-E
$0 $/Stück
PTFB211803FLV2R0XTMA1
Infineon Technologies
PTFB211803FLV2R0XTMA1
$0 $/Stück
MMRF2011NT1
NXP USA Inc.
MMRF2011NT1
$0 $/Stück
ON5441,518
NXP USA Inc.
ON5441,518
$0 $/Stück
SCH1410-TL-E
onsemi
SCH1410-TL-E
$0 $/Stück
MRF7S38010HR5
NXP USA Inc.
MRF7S38010HR5
$0 $/Stück
PTVA093002TCV1XWSA1
Infineon Technologies
PTVA093002TCV1XWSA1
$0 $/Stück
PXAC260602FC-V1
Wolfspeed, Inc.
PXAC260602FC-V1
$0 $/Stück
BLC9G27XS-150AVY
Ampleon USA Inc.
BLC9G27XS-150AVY
$0 $/Stück
BLM9D1822S-60PBG
Ampleon USA Inc.
BLM9D1822S-60PBG
$0 $/Stück
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