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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 10V |
Frequenz - Übergang | 10GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
gewinnen | 8dB |
Leistung - max. | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 10mA, 6V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 35mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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