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Name | Wert |
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Produktstatus | Last Time Buy |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 10V |
Frequenz - Übergang | 9GHz |
Rauschmaß (db typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
gewinnen | 15dB |
Leistung - max. | 200mW |
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce | 50 @ 20mA, 8V |
Strom - Kollektor (ic) (max) | 65mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Paket / Koffer | TO-253-4, TO-253AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-143 |
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