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NP90N03VHG-E1-AY

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MOSFET N-CH 30V 90A TO252

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.2mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

BUZ73E3046XK
NTD60N02RG
NTD60N02RG
$0 $/Stück
IRF1404SPBF
STW21NM50N
STW21NM50N
$0 $/Stück
DMN3052L-7
IPI12CNE8N G
SI8405DB-T1-E1
APT9F100S
IRFI9610G
IRFI9610G
$0 $/Stück

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