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RJK0222DNS-00#J5

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK0222DNS-00#J5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.06000 $1.06
500 $1.0494 $524.7
1000 $1.0388 $1038.8
1500 $1.0282 $1542.3
2000 $1.0176 $2035.2
2500 $1.007 $2517.5
340000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A, 16A
rds ein (max) @ id, vgs 9.2mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 810pF @ 10V
Leistung - max. 8W, 10W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
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Zugehörige Teilenummer

2SK3618-TL-E
2SK3618-TL-E
$0 $/Stück
NTUD3129PT5G
NTUD3129PT5G
$0 $/Stück
SQJB60EP-T2_GE3
EFC3C001NUZTCG
EFC3C001NUZTCG
$0 $/Stück
EFC3J018NUZTDG
EFC3J018NUZTDG
$0 $/Stück
CAB008A12GM3
CAB008A12GM3
$0 $/Stück
DMN10H220LDV-7
STL38DN6F7AG

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