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RJK0230DPA-00#J5A

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK0230DPA-00#J5A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
213000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A, 50A
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1650pF @ 10V
Leistung - max. 15W, 35W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
Lieferantengerätepaket 8-WPAK-D
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Zugehörige Teilenummer

DMN11M2UCA14-7
DMC3025LDV-7
RFIS70N06SM
APTM10HM09FT3G
SQJ912DEP-T1_GE3
DMG4800LSDQ-13
DMN1001UCA10-7
DMC3016LDV-7
2SD1936T-AC-SY
2SD1936T-AC-SY
$0 $/Stück

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