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RJK03M1DPA-00#J5A

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MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK

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Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.88102 -
9 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4720 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket WPAK(3F) (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN2550UFA-7B
NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S
$0 $/Stück
DI050N04PT-AQ
SKI03021
SKI03021
$0 $/Stück
SQM100P10-19L_GE3
SIHFB11N50A-E3

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