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RJK2017DPP-M0#T2

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ABU / MOSFET

compliant

RJK2017DPP-M0#T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.80000 $3.8
500 $3.762 $1881
1000 $3.724 $3724
1500 $3.686 $5529
2000 $3.648 $7296
2500 $3.61 $9025
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FL
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTY1N80P-TRL
IXTY1N80P-TRL
$0 $/Stück
NVTFS024N06CTAG
NVTFS024N06CTAG
$0 $/Stück
NDCTR10120A
NDCTR10120A
$0 $/Stück
2302
2302
$0 $/Stück
SI3407HE3-TP
2N7002KWA-TP
IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M
$0 $/Stück
DMT10H009SSS-13
APTM50DAM17G

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