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RJK4006DPD-00#J2

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK4006DPD-00#J2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.22000 $2.22
500 $2.1978 $1098.9
1000 $2.1756 $2175.6
1500 $2.1534 $3230.1
2000 $2.1312 $4262.4
2500 $2.109 $5272.5
33000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 800mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 65W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket MP-3A
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

DMT10H9M9SK3-13
FCP9N60N-F102
FCP9N60N-F102
$0 $/Stück
SCTH60N120G2-7
IRF9520
IRF9520
$0 $/Stück
DMN10H099SFG-13
NVTFWS030N06CTAG
NVTFWS030N06CTAG
$0 $/Stück
UJ3C065030K3S
UJ3C065030K3S
$0 $/Stück
RFP45N03L
RFP45N03L
$0 $/Stück
DMT32M4LFG-7

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