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RJK5015DPM-00#T1

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MOSFET N-CH 500V 25A TO3PFM

compliant

RJK5015DPM-00#T1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
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2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 240mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PFM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RSS105N03FU6TB
ZVNL120ASTOA
STB80NE03L-06T4
IRLU7833PBF
SIS424DN-T1-GE3
IXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2
$0 $/Stück
IRF6613TR1PBF
STF25NM60N
STF25NM60N
$0 $/Stück

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