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EMB11T2R

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB11T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMB11T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
73 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 20 @ 5mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

NHUMD9F
NHUMD9F
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MUN5336DW1T1G
MUN5336DW1T1G
$0 $/Stück
FMA4AT148
FMA4AT148
$0 $/Stück
DDA143TH-7
NSVMUN5314DW1T3G
NSVMUN5314DW1T3G
$0 $/Stück
EMH2T2R
EMH2T2R
$0 $/Stück

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