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EMB3T2R

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB3T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMB3T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.06462 -
16,000 $0.05744 -
24,000 $0.05385 -
56,000 $0.05026 -
14604 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

BCR185SH6327
NSBA123JDP6T5G
NSBA123JDP6T5G
$0 $/Stück
NSM21356DW6T1G
NSM21356DW6T1G
$0 $/Stück
PEMH4,115
PEMH4,115
$0 $/Stück
UMH33NTN
UMH33NTN
$0 $/Stück
SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
$0 $/Stück

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