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EMB4T2R

EMB4T2R

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TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB4T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMB4T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09180 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) -
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

NHUMH10F
NHUMH10F
$0 $/Stück
ADA114YUQ-7
PUMD24,115
PUMD24,115
$0 $/Stück
PUMH17,115
PUMH17,115
$0 $/Stück
EMB60T2R
EMB60T2R
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UMF28NTR
UMF28NTR
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PEMB24,115
PEMB24,115
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