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EMD29T2R

EMD29T2R

EMD29T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

SOT-23

EMD29T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMD29T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.10075 -
16,000 $0.09425 -
24,000 $0.09100 -
35 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V, 12V
Widerstand - Basis (r1) 1kOhms, 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 260MHz
Leistung - max. 120mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

NSBC124EPDP6T5G
NSBC124EPDP6T5G
$0 $/Stück
PIMD2,115
PIMD2,115
$0 $/Stück
NSVUMC2NT1G
NSVUMC2NT1G
$0 $/Stück
NSBC143ZPDXV6T1G
NSBC143ZPDXV6T1G
$0 $/Stück
PEMH20,115
PEMH20,115
$0 $/Stück
SMUN5311DW1T2G
SMUN5311DW1T2G
$0 $/Stück

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