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EMD3T2R

EMD3T2R

EMD3T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

SOT-23

EMD3T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMD3T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

DCX114YUQ-7-F
MUN5114DW1T1G
MUN5114DW1T1G
$0 $/Stück
NSBC123TPDP6T5G
NSBC123TPDP6T5G
$0 $/Stück
NSBA144EDXV6T5G
NSBA144EDXV6T5G
$0 $/Stück
DDA114TH-7
PUMH9,135
PUMH9,135
$0 $/Stück
EMF5XV6T5
EMF5XV6T5
$0 $/Stück
PEMD6,115
PEMD6,115
$0 $/Stück
PUMB17/ZL115

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