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EMD53T2R

EMD53T2R

EMD53T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD53T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMD53T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.06408 -
16,000 $0.05696 -
24,000 $0.05340 -
56,000 $0.04984 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 35 @ 5mA, 10V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 150mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

PEMB9,315
PEMB9,315
$0 $/Stück
PIMN32-QX
PIMN32-QX
$0 $/Stück
IMD6AT108
IMD6AT108
$0 $/Stück
EMD5T2R
EMD5T2R
$0 $/Stück
SMUN5216DW1T1G
SMUN5216DW1T1G
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EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G
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