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EMF24T2R

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TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

EMF24T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMF24T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09180 -
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA, 150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 180MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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