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EMG11T2R

EMG11T2R

EMG11T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

EMG11T2R Technisches Datenblatt

compliant

EMG11T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09180 -
16,000 $0.08370 -
24,000 $0.07830 -
56,000 $0.07560 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 2.2kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Lieferantengerätepaket EMT5
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Zugehörige Teilenummer

MUN5212DW1T1G
MUN5212DW1T1G
$0 $/Stück
DDC114YU-7-F
IMD9AT108
IMD9AT108
$0 $/Stück
UMH4NFHATN
UMH4NFHATN
$0 $/Stück
PIMC32-QX
PIMC32-QX
$0 $/Stück
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
$0 $/Stück
NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
$0 $/Stück
PUMB11,115
PUMB11,115
$0 $/Stück

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