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EMG3T2R

EMG3T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3

EMG3T2R Technisches Datenblatt

compliant

EMG3T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.06462 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SC-75, SOT-416
Lieferantengerätepaket EMT3
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Zugehörige Teilenummer

PEMB4,115
PEMB4,115
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PEMH15,115
PEMH15,115
$0 $/Stück
NUS2401SNT1
NUS2401SNT1
$0 $/Stück
NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G
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NSBC124EDXV6T1G
NSBC124EDXV6T1G
$0 $/Stück
NSBA115TDP6T5G
NSBA115TDP6T5G
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PUMD12,115
PUMD12,115
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PQMD2Z
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