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EMG8T2R

EMG8T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

EMG8T2R Technisches Datenblatt

compliant

EMG8T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
15193 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Lieferantengerätepaket EMT5
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Zugehörige Teilenummer

DDA143EH-7
NSVB123JPDXV6T1G
NSVB123JPDXV6T1G
$0 $/Stück
EMH9FHAT2R
EMH9FHAT2R
$0 $/Stück
BCR08PN
BCR08PN
$0 $/Stück
UMD22NTR
UMD22NTR
$0 $/Stück
NSBA114YDP6T5G
NSBA114YDP6T5G
$0 $/Stück
UMB11NFHATN
DCX144EH-7

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