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EMH4T2R

EMH4T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH4T2R Technisches Datenblatt

compliant

EMH4T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
15978 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 10kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) -
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 100 @ 1mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

EMG6T2R
EMG6T2R
$0 $/Stück
ADC144EUQ-13
PEMB10,115
PEMB10,115
$0 $/Stück
PEMH17,115
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$0 $/Stück
FMG3AT148
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$0 $/Stück
NSBA123TDP6T5G
NSBA123TDP6T5G
$0 $/Stück
NSBC144WDXV6T1G
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$0 $/Stück
NSBA123JDXV6T5G
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$0 $/Stück
NHUMH13X
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