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EMH60T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH60T2R Technisches Datenblatt

nicht konform

EMH60T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.06408 -
16,000 $0.05696 -
24,000 $0.05340 -
56,000 $0.04984 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 2.2kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 5mA, 10V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 150mV @ 500µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

PEMD16,115
PEMD16,115
$0 $/Stück
SMUN5237DW1T1G
SMUN5237DW1T1G
$0 $/Stück
DDA114YU-7
PUMD48,125
PUMD48,125
$0 $/Stück
NSBA143EDP6T5G
NSBA143EDP6T5G
$0 $/Stück
NSVBC124XDXV6T1G
NSVBC124XDXV6T1G
$0 $/Stück
DDC144TH-7-F
NSBA114TDXV6T5G
NSBA114TDXV6T5G
$0 $/Stück

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