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EMH6T2R

EMH6T2R

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TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6

EMH6T2R Technisches Datenblatt

compliant

EMH6T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.09690 -
16,000 $0.08835 -
24,000 $0.08265 -
56,000 $0.07980 -
15023 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
Widerstand - Basis (r1) 47kOhms
Widerstand - Emitterbasis (r2) 47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce 68 @ 5mA, 5V
vce-Sättigung (max) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - max. 150mW
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

NSVMUN5211DW1T2G
NSVMUN5211DW1T2G
$0 $/Stück
NSVEMC2DXV5T1G
NSVEMC2DXV5T1G
$0 $/Stück
MUN5311DW1T1
MUN5311DW1T1
$0 $/Stück
EMD2FHAT2R
EMD2FHAT2R
$0 $/Stück
NSBA124EDP6T5G
NSBA124EDP6T5G
$0 $/Stück
NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G
$0 $/Stück
EMD59T2R
EMD59T2R
$0 $/Stück

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