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HS8K11TB

HS8K11TB

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MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

HS8K11TB Technisches Datenblatt

nicht konform

HS8K11TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21700 -
6,000 $0.20300 -
15,000 $0.19600 -
3045 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A, 11A
rds ein (max) @ id, vgs 17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.1nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 500pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket HSML3030L10
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Zugehörige Teilenummer

IPA126N10N3G
SI7220DN-T1-E3
FDG6320C
FDG6320C
$0 $/Stück
FQB12N50TM
CAB011M12FM3
CAB011M12FM3
$0 $/Stück
DMN53D0LDW-13
DMC31D5UDA-7B
DMC25D1UVT-13

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